高温栅偏试验

HTGB

温度范围           ：室温~200℃

最高栅偏电压    ：100V

高温高湿偏置试验

H3TRB

温度/湿度范围   ：-20℃~150℃ / 25~98%RH

最高反偏电压    ：2000V

高加速应力寿命试验

B-HAST(带载)

温度/湿度范围   ：110℃~130℃ / 75%RH~100%RH

气压范围           ：230kPa

最高反偏电压    ：1000V

动态高温偏置试验

DHTRB / DHTGB

温度范围           ：室温~175℃

最高偏置电压    ：1000V；速率：≥100V/nS（空载）DHTRB 

                             ±30V；速率：≥3V/nS（空载）DHTGB

最高反偏电压    ：25~50KHz（DHTRB）；200KHz（DHTGB）

间歇工作寿命

IOL

电压         ：≤40V

电流         ：≤100A

温度         ：室温 25℃±5℃

高温工作寿命测试

(集成电路)

HTOL-IC

电压 ：0-40V       电流 ：0-10.0A        

温度 ：室温~150℃

数字信号 ：128路20M        模拟信号 ：4路2M

高温工作寿命测试

(分立器件)

HTOL-Discrete Device

功率 ：≤10W(小功率) / ≤200W(大功率)控壳温+水冷却

电流 ：≤5.0A(小功率) / ≤15.0A(大功率)

电压 ：≤200V

带载温度循环

PTC

功率 ：0-100w

温度 ：-65~180℃

快速温变 ：-45~150℃

高加速温湿度应力 (U-HAST)

Accelerated Moisture Resistance 

-Unbiased

温度           ：≤300℃

湿度           ：85%RH

压力           ：122KPa / 230kPa

温度冲击试验 (TST)

Temperature ShockTesting

低温区范围 ： -20℃～-65℃

测试区范围 ：-55℃～+150℃

高温区范围 ： +60℃～+175℃

温度波动度 ： 0.5℃

恢复时间 ： 3分钟

转换时间 ： ≤5秒

高温试验 (HTSL)

High Temperature Storage Life

温度           ：≤300℃

低温试验 (LTSL)

Low Temperature Storage Life

温度           ：≥-65℃

高压蒸煮 (PCT)

Accelerated Moisture

Resistance-UnbiasedAutoclave

温度           ：121℃

湿度           ：100%RH

压力           ：205kPa

限压限流         限压限流功能，

                      有效保护DUT及测试座

欠压 欠流      Bias check 监控保护

Low RDON   测量精度<30uv 

                      满足SiC GaN三代半测试

测试防呆       每个lot 自动自检测试机的输出

                     和测量自动监控测试机的状态

校准自检        Keysight第三方仪表校

数据整合       多工位测试功能的datalog sum

                     mary 数据整合测试程序合并

                     或者整合第三方测试模块

功能开发        准响应客户需求，

                      进行二次开发

精度              输出或者测量 0.5%+

                     档位0.04%+1mv

                     精度 输出或者测量 0.5%+

                     档位0.04%+3nA

传输特征               Id-Vgs. 

                             Ic-Vge. gfs

栅极电荷      Qg. Qg(th). Qgs. 

                    Qgd. Qsw. Qsync

导通电阻               Rds-on. Vce(sat)

栅极电阻       Rg

栅极泄漏电流        Igss, Iges

器件电容       Ciss. Coss. Coss_eff. 

                     Crss.  Cgs.Cgd. Cies.

                     Coes. Cres

输出泄漏电流        Idss, Ices

切换参数       Td (通)、Td(断)、Tr、

                     Tf；计算值。

输出特征               Id-Vds. Ic-Vce

切换损耗       特定频率上的驱动损耗

                     /切换损耗特定

                    占空比下的传导损耗